代码收藏家 高速PCB设计学习笔记（四）：四层板实战（上）- 常见模块要求
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多层高速PCB设计学习笔记（三） GND的种类及PCB中GND布线实战
多层高速PCB设计学习笔记（四）四层板实战（上）之常见模块要求
多层高速PCB设计学习笔记（五）四层板实战（下）之阻抗控制计算（SI9000）
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以立创的梁山派联合凡亿教育的培训视频总结
常见要点
防静电（静电二极管）
原理图中BDFN2C051V二极管是静电二极管，当电压高于一定值就会导通，把静电放掉。瞬态电压抑制器，阻抗会在高脉冲时变小，从而把静电的能量导入到GND。
上图为该二极管数据手册中的钳制电压与峰值脉冲电流的关系，可以看到钳制电压大概在6v。当电压超过6v时，就会通过低阻抗来使得能量放掉。
TVS管
D5和D6是SMBJ3.3A二极管，在电路中和其他元件是并联关系，SMBJ二极管是瞬态二极管简称TVS，当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击（所以这里要反接）时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
这里就要和上面的静电二极管区分开：
ESD静电二极管主要是作用在被保护设备的关键引脚上，如各种高速信号端口，其正极连接到信号引脚的公共端，负极则接被保护的引脚，起泄放静电作用；
TVS则是一种瞬态抑制二极管，具有响应快，浪涌吸收能力强的特性，它主要放置在电源的输入端，用以吸收浪涌
TVS管有单向和双向，单向反接，因为他是反向钳制电压。
模拟和数字分开
模拟地和数字地、模拟电源和数字电源分开，通过0欧姆的电阻接在一起。
内电层采用的是数字GND和3V3
多电源供电备份区（二极管）
采用的是BAT54CT双二极管，这里使用在低功耗方面，当主板电源3V3断开时，用外接VBAT供电，这样系统状态不会丢失，主板电源开启的时候，一些RTC类似的东西还在，寄存器东西不会丢失
在不同额定工作电流下，正向压降不一样
PCB走线延时
在PCB设计中，实际布线长度决定了信号的传播时间。如果过孔多、元器件引脚多，或者网络上设置的约束多，将导致延时增大。
以T表示信号上升时间，Tpd表示信号线传播延时，若T>4Tpd，信号落在安全区域；若2Tpd<T≤4Tpd，信号将落在不确定区域；若T≤2Tpd，信号将落在问题区域。
主要是接收端的反射信号会到达驱动端。
（这一部分还需要再学习）
等长规范
SD/TF卡布线要点
SD/TF：
在下图的地线，最好间隔150mil-200mil打一个地过孔
SIM卡：
SDRAM布局
DC电源布局
多路开关电源的电感应该垂直放置
USB模块
USB3.0中两根用来接收，两根用来发送，还有一根是地。
USB2.0：480Mbps
USB3.0：5Gbps
Type-c：10Gbps
USB2.0接口布局：
加一对回流地过孔，用于信号回流换层。
USB3.0接口布局：（相比2.0补充）
Type-c：
内电层分割
内电层可以有多种电源，像图中，利用线条，重建内电层可以分割出两块，这样可以一块铺5v，一块3V3
电源布线打孔
电源输入输出需要换层打孔时，输入应该打在滤波电容的前面，输出打在滤波电容的后面
希望滤波电容将过孔的不利影响消除。
晶振
晶振下面不要铺铜，也不要走线，同时，要注意差分走线，还要包地处理，这里包里没有包完全，应该一直包到芯片时钟引脚附近。
下图中就应该按照浅蓝色的走线方式，走类差分
像下面这样：
像之前的SDRAM，啥的都要注意能满足3w最好，不行就2w
嘉立创，快捷键：alt+m：工具-测量距离
铺铜载流计算
载流计算都是以铜皮在窄处进行计算，所以这些过孔放置的使得铜皮一些地方很窄
