深入理解STM32的FLASH、RAM和寻址空间
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前言
提示:本文介绍stm32的FLASH,RAM,以及为什么说stm32有4G的寻址空间,我们先来看一下stm32的寻址空间,具体的储存空间结构;
STM32F103 的寻址空间
以STM32F103为例,它的内存映射如下:
STM32F407 的寻址空间
STM32F407的内存映射和STM32F103类似,但其Flash和SRAM容量较大:
内存映射示意图
STM32F103
+----------------------+-----------+
| Address Range | Description|
+----------------------+-----------+
| 0x0000 0000 - 0x0800 0000 | Main Flash Memory |
| 0x1FFF F000 - 0x1FFF F7FF | System Memory (Bootloader) |
| 0x2000 0000 - 0x2000 5000 | SRAM |
| 0x4000 0000 - 0x5006 3FFF | Peripheral Registers |
| 0x6000 0000 - 0x9FFF FFFF | External Memory |
| 0xE000 0000 - 0xE00F FFFF | Core Peripheral Registers |
+----------------------+-----------+
STM32F407
+----------------------+-----------+
| Address Range | Description|
+----------------------+-----------+
| 0x0000 0000 - 0x0800 0000 | Main Flash Memory |
| 0x1FFF 0000 - 0x1FFF 77FF | System Memory (Bootloader) |
| 0x2000 0000 - 0x2001 BFFF | SRAM1 |
| 0x2001 C000 - 0x2001 FFFF | SRAM2 |
| 0x4000 0000 - 0x5006 3FFF | Peripheral Registers |
| 0x6000 0000 - 0x9FFF FFFF | External Memory |
| 0xE000 0000 - 0xE00F FFFF | Core Peripheral Registers |
+----------------------+-----------+
内存类型
- Flash Memory:用于存储程序代码和常量数据。STM32F103通常有64KB到128KB的Flash,而STM32F407通常有256KB到1MB的Flash。
- SRAM:用于存储运行时数据,如变量和堆栈。STM32F103通常有20KB的SRAM,而STM32F407有192KB的SRAM1和64KB的SRAM2。
- 外设寄存器:用于控制和配置各种外设,如GPIO、USART、I2C等。
- 系统控制空间:包括核心外设,如SysTick计时器和NVIC(嵌套向量中断控制器)。
一、FLASH
它主要用于存储代码,FLASH 存储器的内容在掉电后不会丢失,STM32 芯片在运行的时候,也能对自身的内部 FLASH 进行读写,因此,若内部 FLASH 存储了应用程序后还有剩余的空间,我们可以把它像外部 SPI-FLASH 那样利用起来,存储一些程序运行时产生的需要掉电保存的数据。并且访问内部 FLASH 的速度要比外部的 SPI-FLASH 快得多。
应用
(1)主存储器
一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候,都是指这个主存储器区域,它是存储用户应用程序的空间,芯片型号说明中的 1M FLASH、 2M FLASH 都是指这个区域的大小。
主存储器分为两块,共 2MB,每块内分 12 个扇区,其中包含 4 个 16KB扇区、 1 个 64KB 扇区和 7 个 128KB 的扇区。如STM32F429IGT6 型号芯片,它的主存储区域大小为 1MB,所以它只包含有表中的扇区 0-扇区 11。
与其它 FLASH 一样,在写入数据前,要先按扇区擦除,而有的时候我们希望能以小规格操纵存储单元,所以 STM32 针对 1MB FLASH 的产品还提供了一种双块的存储格式,见下表:
通过配置 FLASH 选项控制寄存器 FLASH_OPTCR 的 DB1M 位,可以切换这两种格式,切换成双块模式后,扇区 8-11 的空间被转移到扇区 12-19 中,扇区细分了,总容量不变。
注意如果您使用的是 STM32F40x 系列的芯片, 它没有双块存储格式,也不存在扇区 12-23,仅 STM32F42x/43x 系列产品才支持扇区 12-23。
(2)系统存储区
系统存储区是用户不能访问的区域,它在芯片出厂时已经固化了启动代码,它负责实现串口、 USB 以及 CAN 等 ISP 烧录功能。
(3)OTP 区域
OTP(One Time Program),指的是只能写入一次的存储区域,容量为 512 字节,写入后数据就无法再更改, OTP 常用于存储应用程序的加密密钥。
(4)选项字节
选项字节用于配置 FLASH 的读写保护、电源管理中的 BOR 级别、软件/硬件看门狗等功能,这部分共 32 字节。可以通过修改 FLASH 的选项控制寄存器修改。
三、注意事项
32位的M3有4GB的寻址空间,STM32的存储器地址映射,地址范围为:0x0000_0000-0xFFFF_FFFF;其中代码区的地址是从0x0800_0000开始的,结束于0x0800_0000+芯片的Flash的大小;
所以就必须在MDK里设置Flash地址为0x0800 0000,
这样就还有一个问题,理论上,CM3中规定上电后CPU是从0地址开始执行,但是这里中断向量表却被烧写在0x0800 0000地址里,那启动时不就找不到中断向量表了?既然CM3定下的规矩是从0地址启动,SMT32当然不能破坏ARM定下的“规矩”,所以它做了一个启动映射的过程,就是和芯片上总能见到的BOOT0和BOOT1有关了,当选择从主Flash启动模式后,芯片一上电,Flash的0x0800 0000地址被映射到0地址处,不影响CM3内核的读取,所以这时的CM3既可以在0地址处访问中断向量表,也可以在0x0800 0000地址处访问中断向量表,而代码还是在0x0800 0000地址处存储的。这就是最难理解的地方,其实,这是基本上所有ARM芯片采用的启动映射方法。ARM7,ARM9没有内部Flash的通常都是这样做的。这个过程出自STM32 referenc manual手册,里面是有说明的。
值得注意的是 ,这个中断向量表是可以在程序中再次被映射的。控制它的就是CM3已经规定的NVIC寄存器SCB->VTOR。在STM32库中给出的启动代码里,startup_stm32f10x_hd.s文件里,第146行,是上电后读取中断向量表中的复位中断位置,并执行复位中断处理代码,代码如下:
; Reset handler
Reset_Handler PROC
EXPORT Reset_Handler [WEAK]
IMPORT __main
IMPORT SystemInit
LDR R0, =SystemInit
BLX R0
LDR R0, =__main
BX R0
ENDP
注意复位后第一个被执行的是SystemInit代码,这个代码在库目录下的system_stm32f10x.c文件里,它初始化了时钟,NVIC等一系列操作,这里摘要与中断向量有关的代码:
void SystemInit (void)
{
#ifdef VECT_TAB_SRAM
SCB->VTOR = SRAM_BASE | VECT_TAB_OFFSET; /* Vector Table Relocation in Internal SRAM. /
#else
SCB->VTOR = FLASH_BASE | VECT_TAB_OFFSET; / Vector Table Relocation in Internal FLASH. */
#endif
}
可以看出中断向量重映射是一个选择性编译,通常宏定义VECT_TAB_SRAM都没有被定义,所以这里执行结束后,SCB->VTOR就是FLASH_BASE了,值为0x0800 0000。以后CM3再取中断向量里,就会根据SCB->VTOR的设置,从这里取向量执行了。中断向量自此终于转正。
二、RAM
RAM(Random Access Memory) :掉电之后就丢失数据,读写速度块
ROM (Read Only Memory) :掉电之后仍然可以保持数据
应用
#include "stm32f1xx.h"
// 全局变量,存储在SRAM中
int global_var = 0;
// 常量数据,存储在FLASH中
const char flash_data[] = "Hello, FLASH!";
int main(void) {
// 本地变量,存储在SRAM中
int local_var = 0;
// 使用全局变量
global_var = 10;
// 使用本地变量
local_var = global_var + 1;
// 使用FLASH中的数据
printf("%s\n", flash_data);
while (1) {
// 主循环
}
}
寻址空间
在STM32微控制器中,寻址空间(Address Space)指的是微控制器能够访问的内存地址范围。每个存储器单元(如RAM、ROM、寄存器等)都有一个唯一的地址,CPU通过这些地址来访问和操作存储器单元。STM32微控制器的寻址空间通常由其内存映射(Memory Map)定义。
寻址空间的基本概念
- 地址宽度:STM32微控制器使用32位地址总线,这意味着它能够访问的地址范围是4GB(2^32个地址)。
- 内存映射:STM32的内存映射定义了不同类型的存储器(如Flash、SRAM、外设寄存器等)在整个地址空间中的位置。
STM32F103 的寻址空间
以STM32F103为例,它的内存映射如下:
STM32F407 的寻址空间
STM32F407的内存映射和STM32F103类似,但其Flash和SRAM容量较大:
内存映射示意图
STM32F103
+----------------------+-----------+
| Address Range | Description|
+----------------------+-----------+
| 0x0000 0000 - 0x0800 0000 | Main Flash Memory |
| 0x1FFF F000 - 0x1FFF F7FF | System Memory (Bootloader) |
| 0x2000 0000 - 0x2000 5000 | SRAM |
| 0x4000 0000 - 0x5006 3FFF | Peripheral Registers |
| 0x6000 0000 - 0x9FFF FFFF | External Memory |
| 0xE000 0000 - 0xE00F FFFF | Core Peripheral Registers |
+----------------------+-----------+
STM32F407
+----------------------+-----------+
| Address Range | Description|
+----------------------+-----------+
| 0x0000 0000 - 0x0800 0000 | Main Flash Memory |
| 0x1FFF 0000 - 0x1FFF 77FF | System Memory (Bootloader) |
| 0x2000 0000 - 0x2001 BFFF | SRAM1 |
| 0x2001 C000 - 0x2001 FFFF | SRAM2 |
| 0x4000 0000 - 0x5006 3FFF | Peripheral Registers |
| 0x6000 0000 - 0x9FFF FFFF | External Memory |
| 0xE000 0000 - 0xE00F FFFF | Core Peripheral Registers |
+----------------------+-----------+
内存类型
- Flash Memory:用于存储程序代码和常量数据。STM32F103通常有64KB到128KB的Flash,而STM32F407通常有256KB到1MB的Flash。
- SRAM:用于存储运行时数据,如变量和堆栈。STM32F103通常有20KB的SRAM,而STM32F407有192KB的SRAM1和64KB的SRAM2。
- 外设寄存器:用于控制和配置各种外设,如GPIO、USART、I2C等。
- 系统控制空间:包括核心外设,如SysTick计时器和NVIC(嵌套向量中断控制器)。
STM32F4系列微控制器的寻址空间被认为是4GB的原因主要在于其32位的地址总线。以下是详细的解释:
1. 32位地址总线
STM32F4微控制器使用32位的地址总线,这意味着它可以生成和使用32位的地址。这些地址表示的范围是从0x00000000到0xFFFFFFFF,总共有2^32个地址,即4,294,967,296个地址。
2. 地址空间的大小
每个地址通常对应1个字节的存储空间,因此总的寻址空间为:
232 字节=4,294,967,296 字节=4 GB232字节=4,294,967,296字节=4GB
3. 内存映射(Memory Map)
虽然STM32F4有一个4GB的寻址空间,但实际使用中,并不是所有的空间都分配给RAM或Flash存储器。STM32F4的内存映射将不同的地址范围分配给不同的用途,包括内部存储器、外设、系统控制空间等。以下是STM32F407内存映射的一部分示例:
作者:胡娟花