代码收藏家技术教程 2024-08-03

推出一系列主流ARM微控制器 – MCU，STM32G0x1RxT3、STM32G483VE、STM32G491CC、STM32G474CE、STM32G473QC适合消费、工业和家电领域的各类应用

一、基于工作频率可达64 MHz的高性能Arm® Cortex®-M0+ MCU

STM32G0B1RB、STM32G0C1RE主流微控制器基于工作频率可达64 MHz的高性能Arm® Cortex®-M0+ 32位RISC内核。该系列微控制器具有高集成度，适合消费、工业和家电领域的各类应用，也能充分满足物联网 (IoT) 解决方案的需求。

这些器件集成了存储器保护单元 (MPU)、高速嵌入式存储器（144 KB SRAM和高达512 KB的Flash程序存储器，后者带读写保护功能、专有代码保护功能和安全区域）、DMA、丰富的系统功能、增强型I/O与外设。它们提供了多个标准通信接口（3个I2C、3个SPI/2个I2S、1个HDMI CEC、1个全速USB、2个FD CAN和6个USART）、1个多达19通道的12位ADC (2.5 Msps)、1个双通道12位DAC、3个快速比较器、1个内部电压参考缓冲器、1个低功耗RTC、1个高级控制PWM定时器（运行频率可达CPU频率的两倍）、6个通用16位定时器（其中一个运行频率可达CPU频率的两倍）、1个32位通用定时器、2个基本定时器、2个低功耗16位定时器、2个看门狗定时器和1个SysTick系统定时器。这些器件具有一个完全集成的USB Type-C供电控制器。

可在-40 °C至125 °C的环境温度和1.7 V至3.6 V的电源电压下工作。经过优化的动态功耗与一套全面的节能模式、低功耗定时器与低功耗UART相结合，可轻松实现低功耗应用设计。

VBAT直接电池输入支持持续向RTC和备份寄存器供电。

这些器件提供32引脚至100引脚的不同封装规格。一些具有低引脚数的封装有两种引脚排列（标准引脚排列和标有后缀“N”的备选引脚排列）可供选择。标有后缀“N”的产品提供VDDIO2模式供电和附加UCPD端口，因此比标准引脚排列更适合UCPD/USB应用。

1、STM32G0B1RBT3的规格：

核心处理器：ARM® Cortex®-M0+

内核规格：32-位

速度：64MHz

程序存储容量：128KB

程序存储器类型：闪存

EEPROM 容量：-

RAM 大小：144Kb

电压 – 供电 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V

工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：64-LQFP（10×10）

封装/外壳：64-LQFP

基本产品编号：STM32G0B1

2、STM32G0C1RET3的规格：

核心处理器：ARM® Cortex®-M0+

内核规格：32-位

速度：64MHz

程序存储容量：512KB

程序存储器类型：闪存

EEPROM 容量：-

RAM 大小：144Kb

电压 – 供电 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V

工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：64-LQFP（10×10）

封装/外壳：64-LQFP

基本产品编号：STM32G0C1

主流ARM微控制器 – MCU
STM32G0B1RBT3
STM32G0C1RET3
STM32G483VET3
STM32G491CCT6
STM32G474CEU3
STM32G473QCT3
——明佳达

二、带DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU

STM32G4器件基于高性能Arm® Cortex®-M4 32位RISC内核。工作频率最高可达170 MHz。

Cortex-M4内核带有单精度浮点运算单元 (FPU)，支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。该内核还具备一组完整的DSP（数字信号处理）指令和用于增强应用安全性的存储器保护单元 (MPU)。

这些器件内嵌高速存储器（高达512 KB的Flash存储器和128 KB的SRAM）、一个用于静态存储器（针对采用100或更多引脚封装的器件）的灵活外部存储器控制器 (FSMC)、一个Quad-SPI Flash存储器接口以及大量连至2条APB总线、2条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。

它们还为嵌入式Flash存储器和SRAM嵌入了多种保护机制，分别是：读保护、写保护、安全存储区域和专有代码读保护。

这些器件内置的外设支持数学/算术函数加速（CORDIC用于三角函数，FMAC单元用于滤波函数）。