STM32F103RC利用HAL库实现FLASH擦除与写入操作详解

目录

STM32F103RC使用HAL库对FLASH的擦除与写入（代码模块）

一、芯片FLASH简介

二、FALSH的擦除

三、FALSH的写入

STM32F103RC使用HAL库对FLASH的擦除与写入（代码模块）

一、芯片FLASH简介

stm32f103rc芯片的flash大小为256KB，分为128页，每页大小为2KB。

二、FALSH的擦除

uint8_t flash_erase(void)
{
    uint32_t PageError = 0;
    uint8_t *p;
    p = (uint8_t *)((uint32_t *)0x08004000UL)
    
    FLASH_EraseInitTypeDef  FlashEraseInit = 
    {
        .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,
        .Banks = FLASH_BANK_1,
        .PageAddress = 0x08004000,
        .NbPages = 120,
    }
    
    printf("擦除前FLASH地址0x08004000存放的数据为：%#x",*p);
    HAL_FLASH_Unlock();
    
    if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&PageError) != HAL_OK)
    {
        return 1;
    }
    HAL_FLASH_Lock();
    printf("擦除后FLASH地址0x08004000存放的数据为：%#x",*p);
    
    return 0;
}

stm32f103rc芯片的擦除方式有两种：
    1、按页擦除（FLASH_TYPEERASE_PAGES）   2、按块擦除（FLASH_TYPEERASE_MASSERASE）
 当使用页擦除方式擦除某一页或者几页时，需要设置： 
 .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,    //擦除方式
 .Banks = FLASH_BANK_1,                 //擦除哪个块，该项只有擦除方式为按块擦除时才有效
 .PageAddress = 0x08004000,             //擦除起始地址
 .NbPages = 120,                        //擦除页数
 当使用块擦除方式擦除某一块时，需要设置： 
 .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_MASSERASE,//擦除方式
 .Banks = FLASH_BANK_1,                 //擦除哪个块，该项只有擦除方式为按块擦除时才有效
 .PageAddress = 0x08004000,             //擦除起始地址
 .NbPages = 1,                          //擦除页数

三、FALSH的写入

uint8_t flash_write(volatile uint32_t FlashAddress, uint32_t *Data, uint32_t DataLength)
{
    uint32_t i = 0;
    
    HAL_StatusTypeDef   ret;
    
    HAL_FLASH_Unlock();
    for(i=0; (i < DataLength) && (FlashAddress < APP_END_ADDR); i++)
    {
        ret= HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,FlashAddress,*(uint32_t*)(Data+i));
        if(ret == HAL_OK)
        {
            if(*(uint32_t *)FlashAddress != *(uint32_t *)(Data + i))
            {
                return 2;   //数据校验错误
            }
            FlashAddress += 4;
        }
        else
        {
            return 1;       //数据写入错误
        }
    }
    HAL_FLASH_Lock();
    return 0;
}

函数形参：
    FlashAddress：待写入FLASH的地址
    Data：待写入数据的缓存区地址
    DataLength：待写入数据的长度
说明：   
    APP_END_ADDR：为宏定义
    #define APP_END_ADDR    ((uint32_t)0x0803FFFFUL)
    
    HAL库接口函数HAL_FLASH_Program的写入方式有三种：
    1、半字写入（FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD）  16bit（2字节）
    2、整字写入（FLASH_TYPEPROGRAM_WORD）      32bit（4字节）
    3、双字写入（FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD）64bit（8字节）

作者：牧以南歌〆