【STM32】内存与存储区详解：RAM、ROM/Flash与堆栈、全局/静态区、常量区、代码区的关系解析（以STM32F407ZGT6为例）

一、嵌入式系统主要存储器的分类

1.易失性存储器——RAM

（1）DRAM

        DRAM，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)。所谓Dynamic（“动态”），即要求RAM需要进行不断的刷新，才能实现数据的维持。其主要原理是利用电路中电容存储电量的多寡来确定当前位是0还是1，因此工作过程中需要对电容进行持续的充电。

         SDRAM，同步动态随机存储器(Synchronous Dynamic Random Access Memory, SDRAM)，是DRAM的一种。在DRAM的基础上加上了时钟同步信号，在时钟沿到来时采集数据。

（2）SRAM

        SRAM，静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)。所谓静态，就是不需要对内存芯片进行刷新，只要保持上电，SRAM中的数据就不会丢失。这是因为电路中有锁存器，可以对数据进行锁存。

        STM32F407有四块片上SRAM：112KB SRAM1，16KB SRAM2，64KB CCM SRAM3，4KB Backup SRAM。

图源：STM32F4xx中文参考手册 p50 

        CCM( Core-Coupled Memory) RAM，是相比于普通SRAM更接近于处理器核心的高速内存，旨在提高数据和代码的访问速度，从而提升整个系统的性能。

（3）总结

        SRAM存取速度更快，但是成本更高。通常SRAM作为cache，而DRAM作为主存。

        片上SRAM的地址

图源：STM32F4xx中文参考手册 p57

备注：在别名空间中写就相当于在原始地址空间读-修改-写；在别名空间中读就相当于在原始地址空间中断读。

2.非易失性存储器——ROM、Flash

（1）EEPROM

        EEPROM，电可擦除存储器(Electrically Erasable Programmable ROM) 。掉电不丢失数据。擦除过程由内部电路控制，不需要外部手动清除。可以直接读写。

（2）NOR Flash

        NOR Flash，也称为NOR型闪存，是STM32片上Flash。分为多个区域。

图源：STM32F4xx中文参考手册 p59

        可以根据自举配置，自主选择程序下载后储存并且运行的位置。

   图源：STM32F4xx中文参考手册 p56

        通常情况下， BOOT0接地，因此选择主Flash作为自举空间。也就是将程序下载到Flash中，并在Flash中运行。

（3）NAND Flash

        NAND Flash由许多存储单元组成，每个存储单元可以存储一个或多个比特的数据。这些存储单元被分为页（Page）和块（Block），每页通常为2KB或4KB，每块通常为128KB或256KB。

（4）总结

二、存储区空间存储的数据类型

1.栈

        存储局部变量，包括：函数内部定义的变量（未加static），函数的形式参数，函数的返回值，函数调用时的现场保护和返回地址，const修饰的局部常量。

2.堆

        malloc等函数动态分配空间的变量。分配以后必须使用free释放，避免堆泄露。

3.全局区/静态区

(1).bss段

        未初始化，或初始化值为0的全局变量或静态变量。不占用可执行文件的空间。

(2).data段

        经过初始化且初始化值非0全局变量或静态变量，const修饰的全局变量。

4.常量区

        字符串常量，不可修改。

5.代码区

        程序执行代码、字符串常量。

三、存储区在存储器上的位置

四、参考文章

norflash和nandflash的区别https://blog.csdn.net/qq_38072731/article/details/140662386?ops_request_misc=&request_id=&biz_id=102&utm_term=%E5%A6%82%E4%BD%95%E5%8C%BA%E5%88%86nand%20%E5%92%8Cnor%20flash&utm_medium=distribute.pc_search_result.none-task-blog-2~all~sobaiduweb~default-0-140662386.142%5Ev100%5Epc_search_result_base2&spm=1018.2226.3001.4187

RAM、 ROM 、SRAM 、DRAM 、SDRAM 、DDR （2、3、4）SDRAM辨析https://blog.csdn.net/m0_50932296/article/details/126340229?ops_request_misc=%257B%2522request%255Fid%2522%253A%2522172368580116800182776042%2522%252C%2522scm%2522%253A%252220140713.130102334.pc%255Fall.%2522%257D&request_id=172368580116800182776042&biz_id=0&utm_medium=distribute.pc_search_result.none-task-blog-2~all~first_rank_ecpm_v1~rank_v31_ecpm-1-126340229-null-null.142%5Ev100%5Epc_search_result_base2&utm_term=STM32%20sram%EF%BC%8Csdram%EF%BC%8Cdram%2Cram&spm=1018.2226.3001.4187

STM32分析栈、堆、全局区、常量区、代码区、RAM、ROM详细说明https://blog.csdn.net/weixin_42108484/article/details/132289954?ops_request_misc=%257B%2522request%255Fid%2522%253A%2522172368300816800186536046%2522%252C%2522scm%2522%253A%252220140713.130102334..%2522%257D&request_id=172368300816800186536046&biz_id=0&utm_medium=distribute.pc_search_result.none-task-blog-2~all~sobaiduend~default-4-132289954-null-null.142%5Ev100%5Epc_search_result_base2&utm_term=STM32%20RAM%2CROM%2CFLASH&spm=1018.2226.3001.4187

作者：Bahair_