代码收藏家 DRV8701芯片数据手册整理(偏应用讲解无过多理论性的东西)第一篇（全国大学生智能车竞赛硬件驱动部分必备知识）
如本人理解有错，望大家指出，诚恳接受。
一、什么是DRV8701芯片？
DRV8701是一个有刷直流电机全桥门极驱动芯片。
（一）何为有刷？
有刷电机就是电机内部的转刷耗材采用的是碳，售价便宜，磨损较大，使用时噪声比较大因为碳刷是与电枢接触的，所以会有火花的产生，一般有刷电机都采用直流电。
那么何为无刷呢？
无刷电机就是通过电子换向器来控制电机，不采用有刷电机碳刷转动换向器的方案了。
大家如果感兴趣的话可以参考有刷电机和无刷电机的优缺点_哔哩哔哩_bilibili这个小视频，这里不过多赘述。
（二）全桥
通俗一点来讲，驱动电机光有驱动芯片（内置桥的芯片不算）是不够的，为了能让芯片充分发挥作用，利用桥电路来控制电机的正转和反转、控制电机的速度（需要芯片支持PWM控制），同时也能提高效率以及保护电机。那么全桥即H桥，除了全桥外，还有半桥和三相桥，总之，桥越完善，效率就越高，性能就越高。这里不过多追逐，感兴趣的小伙伴可以自行搜集资料。
二、概述DRV8701芯片
根据数据手册，DRV8701有两种型号，分别为DRV8701P和DRV8701E。P结尾的意思就是通过芯片上PWM口来控制电机，E结尾的就是通过芯片上PH和EN口来控制。
重要参数信息：都支持100%的PWM占空比，芯片耐压值为5.9V — 45V，24Pin，VQFN封装，芯片大小 4.0*4.0*0.9mm大小。
其余描述信息可以具体的参见手册第一页的Description部分，会在尾页贴上数据手册。
三、DRV8701芯片引脚功能
先说重要的引脚 -> PH和EN以及IN1和IN2
EN为14脚，主要负责确定全桥是否使能，通俗一点说人话就是我是否使能这个芯片。
PH为15脚，主要负责桥相的控制，说人话就是控制电机正转或反转。
IN1和IN2分别为15和14脚，因为PWM控制方式比较特殊，第一篇不说明，后面更新第二期的时候具体说明。
其次是重要的引脚，见下表
| 引脚 | 类型 | 描述 | ||
| 名字 | 引脚序号 | |||
| VM | 1 | 电源 | 电源 | 连接电机供电电压；用0.1-µF陶瓷电容将VM1的电源引脚旁路到GND。此外，还需要一个至少10µF的电容，用于VM的电源。额外的可能需要根据驱动电流来确定电容值 |
| GND | 5 | 电源 | 地 | 任何一个设备的地引脚，必须要与地相连 |
| 16 | ||||
| PPAD | ||||
| VCP | 2 | 电源 | 电荷泵输出 | 将一个16v,1uf的陶瓷电容接到VM上 |
| CPH | 3 | 电源 | 电荷泵开关节点 | 将一个额定电压足以承受电路中 VM 电压的 0.1 微法拉 X7R 型电容器，连接在电荷泵电路的两个开关节点 CPH 和 CPL 之间。这样的连接通常是为了提供平滑的电压输出，减少纹波，作为电荷泵电路稳定工作的一部分。 |
| CPL | 4 | |||
| DVDD | 8 | 电源 | 逻辑调节器 | DVDD是一个3.3 v逻辑电源稳压器； 用一个6.3 v， 1 μ f的陶瓷电容旁路到地 |
| AVDD | 7 | 电源 | 模拟调节器 | AVDD是一个4.8 v模拟电源稳压器； 用一个6.3 v， 1 μ f的陶瓷电容旁路到地 |
| nSLEEP | 13 | 输入 | 设备睡眠模式 | 将逻辑电平拉低以将设备置于低功耗睡眠模式，使用场效应晶体管FETs实现高阻抗High-Z；内部下拉电阻。说人话就是利用内部电路的下拉电阻和 FETs 的高阻抗模式，来将设备置于低功耗睡眠模式 |
| IDRIVE | 12 | 输入 | 栅极驱动电流设定引脚 | 电阻值或施加在此引脚上的电压决定了栅极驱动电流 |
| VREF | 6 | 输入 | 模拟基准输入 | 在 0.3 伏特到 AVDD 电压之间施加一个电压来控制电流调节的过程。说人话就是这是一个参考模拟信号，该信号被用来设定电流调节器的参考点，从而控制输出电流的大小。 |
| nFAULT | 9 | 开漏 | 故障指示引脚 | 当电路出现故障时，它会通过开漏输出强制输出逻辑低电平，平常无故障情况下应当要求它输出高电平 |
| SNSOUT | 10 | 开漏 | 感测比较器输出 | 当电路中的驱动电流达到一个特定的阈值，触发了电流斩波保护机制时，开漏输出会被强制拉低到逻辑低电平。正常工作时应当能够输出逻辑高电平 |
| SO | 11 | 输出 | 并联放大器输出 | 该引脚上的电压是由SP的电压与一个增益系数 AV 相乘，再加上一个固定的偏移量得到的。同时在该引脚上不应放置超过 1nF的电容负载。 |
| SN | 20 | 输入 | 并联放大器负输入 | 通过电流检测电阻连接到SP和GND |
| SP | 21 | 输入 | 并联放大器正输入 | 通过电流检测电阻连接到低侧FET源和SN |
| GH1 | 17 | 输出 | 高侧 | 连接高一侧的FET栅极，说人话就是连接到栅极的驱动高电平电压的控制信号，这个电压必须高于 FET 源极电压，这样才能确保 FET 完全导通。 |
| GH2 | 24 | |||
| GL1 | 19 | 输出 | 低侧 | 连接低一侧的FET栅极，对低一侧来说，没啥要求 |
| GL2 | 22 | |||
| SH1 | 18 | 输入 | 阶段节点 | 需要将一个组件或信号连接到高侧 FET 的源极，同时连接到低侧 FET 的漏极。这种连接方式在设计 H 桥电路时非常关键，它确保了电路可以正常工作，实现对负载的控制。在实际应用中，通常需要使用适当的驱动电路来控制高侧和低侧 FET 的开关，以确保它们能够正确地导通和截止。 |
| SH2 | 23 | |||
四、官方给大家整理的需要各位小伙伴在设计电路时要加的器件
Attention:DRV8701 上没有 VCC 引脚，但需要为开漏输出的 nFAULT 和 SNSOUT 引脚提供 VCC 供电电压的上拉电阻。系统控制器的供电可以用于这个上拉电压，或者这些引脚可以被上拉到 AVDD 或 DVDD。
同时，官方也给大家推荐整理了连接FET的连接方式，如下图所示
五、芯片规格
电子人都知道每个器件都有它的额定值跟最大值，一旦超过期间就废掉了，所以官方同时也给大家整理了一下，都是一些简单的东西，看后面引脚就能判别了，直接上图。
同时官方也给小伙伴们整理了它们推荐的工作区间
Attention:给玩智能车的小伙伴们提个醒，不要过于追求精度，输入的PWM波最大不要超过100kHz
结语
感谢大家的观看，有什么不足之处可以提出，一起共同进步。下一篇将结合本篇内容讲述原理图和PWM控制电机的原理，最后再次诚挚感谢各位观看，如讲的不好大家多多包含。
文档提供：TI
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作者：kun_kun_315
