初学STM32 — 外部SRAM

目录

SRAM简介

SRAM特性:

XM8A51216 功能框图

 8080并口读时序​编辑

 8080并口写时序

SRAM 读写操作步骤

FSMC介绍

 FSMC时序介绍

 FSMC控制器对内核地址映射​编辑

 FSMC HAL库相关驱动

 SRAM驱动步骤

SRAM简介

静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）

1M字节容量的SRAM芯片XM8A51216为例介绍。

SRAM特性:

高速：具有最高访问速度15ns

低功耗：80MHz时55mA，待机电流 20mA

TTL电平兼容

全静态操作：不需要刷新和时钟电路

三态输出

字节控制功能：支持高/低字节控制

XM8A51216 功能框图

每个地址存放16Bit数据，总容量1MB

A0~18：19根地址线，2^19 = 512K

DQ0~15：16根数据线，输入/输出

CEn：芯片使能信号，低电平有效

OEn：输出(读)使能信号，低电平有效

WEn：写使能信号，低电平有效

BLEn：低字节控制信号（DQ0~7有效）

BHEn：高字节控制信号（DQ8~15有效）

 8080并口读时序

 这里要注意，tRC读周期时间最小为15ns

tACE地址建立时间，也就是从接收到地址信号到给有效数据的时间。最大为12ns

tDOE OE建立时间，也就是从接收到读使能信号到给有效数据的时间。最大3.4ns

 8080并口写时序

 这里要注意，tWC读周期时间最小为15ns

tSA地址建立时间，也就是从发送地址信号到给写使能信号的时间。最大为12ns

tPWE WE建立时间，也就是从接收到写使能信号到数据采集的时间。最大3.4ns

SRAM 读写操作步骤

1、设置地址信号线：        发出要访问的存储器目标地址

2、控制片选信号：        选中器件

3、决定数据操作方式

读操作，控制读使能信号OE表示读数据

写操作，控制写使能信号WE表示写数据

4、设置获取数据方式：        掩码信号BLE和BHE指示要访问目标地址的高、低字节部分

5、获取数据：        

读过程，存储器通过数据线向主机输出目标地址数据

写过程，使用数据线向存储器目标地址写入目标数据

FSMC介绍

FSMC，灵活的静态存储控制器，能驱动SRAM、NOR/NAND Flash等存储器。

 FSMC时序介绍

FSMC是Flexible灵活的，可以产生多种时序来控制外部存储器。

 异步时序：

注意：A[0:18] 并不是顺序连接FSMC_A[0:18]，不影响正常使用SRAM，因为地址具有唯一性。 

 FSMC控制器对内核地址映射

 FSMC HAL库相关驱动

HAL_StatusTypeDef HAL_SRAM_Init ( 
SRAM_HandleTypeDef *hsram, 
FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef *Timing, 
FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef *ExtTiming )                                                    

SRAM_HandleTypeDef 中，设置

FSMC_NORSRAM_TypeDef *Instance; 为        FSMC_NORSRAM_DEVICE;

FSMC_NORSRAM_EXTENDED_TypeDef *Extended; 为FSMC_NORSRAM_EXTENDED_DEVICE

FSMC_NORSRAM_InitTypeDef Init;为SRAM初始化结构体。

 SRAM驱动步骤

1、配置FSMC：        使能FSMC时钟，并配置FSMC相关的IO(复用输出)及其时钟使能

2、设置FSMC相关参数：        设置Bank1第三区的存储器 工作模式、位宽和读写时序参数

3、进行数据访问：根据区域，决定操作外部内存的首地址

直接指定变量存储到SRAM空间        全局变量

uint32_t g_test_buffer[250000] __attribute__((at(SRAM_BASE_ADDR)));

g_test_buffer[i] = i;

注意：CPU通过AHB总线访问FSMC上的设备,可以按字/半字/字节访问,AHB自动转化控制FSMC访问。

作者：end_SJ