捋清楚MCU上内存的分类和关系

从功能上进行分类，MCU一共需要两种存储资源：

ROM-用于存储运行程序

Flash闪存

        ROM的一种，有RAM和ROM的优势，掉电不会丢失数据，可电擦除数据；

分类：

NORFlash

        代码可以直接在NORFlash上运行，NORFlash数据线和地址线分开，可以像RAM实现随机寻址，读取任意一个字节，可以节省SRAM的容量，但是擦除需要按块擦除；

        分析：是否NORFlash能够完全替代SRAM？

        不能, NORFlash+SRAM一般为互补的组合方案，NORFlash的写入和擦除速度较慢，难以替代SRAM;

        NORFlash一般用于存储运行程序，SRAM用于存储需要频繁读写的数据，组合使用；

NandFlash

        按块读取擦写，一块一般为512Byte，一般用于存储系统固件和用户配置信息，NAND Flash不支持XIP（eXecute In Place，本地执行）功能。这意味着代码不能直接在NAND Flash中执行，而需要先被加载到RAM中，然后由CPU从RAM中取指、译码和执行。

固态硬盘使用的就是NandFlash

RAM-用于存储程序运行时的数据

按存储器用途分类：

IRAM（指令RAM）

DRAM（数据RAM）注意区别动态DRAM

D/IRAM（既可作指令RAM又可作数据RAM）
 

按存储器的类型和实现方式分类：

DRAM（Dynamic RAM）:动态RAM

        数据保留时间短，需要一直进行电路刷新电路才能保存数据，SRAM>速率>ROM，但是比SRAM便宜很多；

SRAM（Static RAM）：静态RAM

        传输速率很快，只要一直上电就可以保持数据，无需刷新电路，集成度低，贵；

SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）同步动态随机存取内存    

RTC RAM

PSRAM（Pseudo Static RAM）伪静态随机存储器

按

RAM的分布

片内RAM（ON -Chip-RAM）

片外RAM（Off-Chip-RAM）

SFR-特殊功能寄存器

关于占用 ram 和 rom 空间是如何计算的

ROM计算

Code 段：代表的就是我们所编写的代码所占用的 flash 空间。当然需要注意的是，代码段的内容  是经过编译器优化以及汇编之后的大小，你在代码里添加注释，或者一些无意义的代码是不会增大code段的大小的。
RO-data段：即read only – data，只读数据段。在代码中定义的 const 常量，printf 打印的固定字符等，这些均会被存放到此数据段内。

RW-data（读写数据存储区）：存储已初始化的全局变量和静态变量。

ZI-data（零初始化数据区）：存储未初始化的全局变量和静态变量，程序开始运行时初始化为0。

直接提供给大家以下公式：

    Total RO  Size  = Code + RO Data            
    Total RW  Size  = RW Data + ZI Data          
    Total ROM Size  = Code + RO Data + RW Data 

RAM计算

引用如下：

单片机/MCU内存分配解读_单片机内存-CSDN博客

作者：weixin_41564872